5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1220G-S
2SB1220G-S PDF预览

2SB1220G-S

更新时间： 2024-11-18 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 39K
描述
50mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1220G-S 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：185
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

2SB1220G-S 数据手册

 浏览型号2SB1220G-S的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB1220  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For high breakdown voltage low-noise amplification  
Complementary to 2SD1821  
Unit: mm  
2.1±0.1  
0.425  
1.25±0.1  
0.425  
●
High collector to emitter voltage VCEO  
.
●
●
Low noise voltage NV.  
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
1
3
2
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–150  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–150  
V
0.2±0.1  
–5  
V
–100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
3:Collector  
IC  
–50  
EIAJ:SC–70  
S-Mini Type Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
150  
Tj  
150  
Marking symbol : I  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
V
Collector cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
–1  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCEO  
VEBO  
IC = –100µA, IB = 0  
–150  
–5  
IE = –10µA, IC = 0  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = –5V, IC = –10mA  
130  
450  
–1  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –30mA, IB = –3mA  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 10mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCE = –10V, IC = –1mA, GV= 80dB,  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
200  
4
Collector output capacitance  
Cob  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
130 ~ 220  
IR  
185 ~ 330  
IS  
260 ~ 450  
IT  
Marking Symbol  
1
12

中文翻译

下载PDF

与2SB1220G-S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1220GT PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS
2SB1220G-T PANASONIC

获取价格

 		50mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
2SB1220H PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1220R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70
2SB1220-R KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB1220S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70
2SB1220-S KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB1220T ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-70
2SB1220-T KEXIN

获取价格

 		PNP Transistors
2SB1220TX PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与2SB1220G-S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证