2SB1223

更新时间： 2024-11-18 06:18:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	116K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1223 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB1223 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1223

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SD1825

·High DC current gain.

·Large current capacity and wide ASO.

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·Suitable for use in control of motor drivers,

printer hammer drivers,and constant-voltage

regulators.

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

-70

-60

-6

Open base

Open collector

-4

I_CM

Collector current-peak

-6

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

T_a=25

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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