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2SB1220G-T

更新时间： 2024-11-18 21:12:39

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	234K
描述
50mA, 150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SB1220G-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	260	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1220G-T 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SB1220

Silicon PNP epitaxial planar type

For high breakdown voltage low-noise amplification

Complementary to 2SD1821

Unit: mm

+0.10

+0.1

–0.0

0.15

0.3

–0.05

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Low noise voltage NV

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

10°

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

−150

Unit

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

−150

EIAJ: SC-70

−5

SMini3-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−50

°C

Marking Symbol: I

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−100

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

−150

−5

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CB= −100 V, I_E= 0

V_CE= −5 V, I_C= −10 mA

−1

450

−1

µA



h_FE

130

V_CE(sat)I_C= −30 mA, I_B= −3 mA

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Noixe voltage

V_CE= −10 V, I_C= −1 mA, G_V= 80 dB

R_g= 100 kΩ, Function = FLAT

150

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

130 to 220

185 to 330

260 to 450

Publication date: March 2003

SJC00073BED

12 3

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与2SB1220G-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1220H	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1220R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SB1220-R	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1220S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SB1220-S	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1220T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 150V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SC-70
2SB1220-T	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
2SB1220TX	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1221	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1221P	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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