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2SB1165

更新时间： 2024-11-09 06:19:19

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
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3页	50K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1165 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1165

DESCRIPTION

·With TO-126 package

·Complement to type 2SD1722

·Low collector saturation voltage

·Fast switching time

APPLICATIONS

·For use in relay drivers,high-speed

inverters,converters.

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-60

UNIT

Open base

-50

Open collector

-6

Collector current (DC)

Collector current-Peak

-5

I_CM

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

1.2

P_C

Collector power dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3

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