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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.75 | 风险等级： | 5.34 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 130 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1167Q | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SB1167-Q | ONSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SB1167R | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,100V V(BR)CEO,3A I(C),TO-126 |
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| 2SB1167S | ONSEMI |
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3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126LP, 3 PIN |
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| 2SB1167T | ONSEMI |
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3A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126, TO-126LP, 3 PIN |
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| 2SB1167-T | ONSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic |
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| 2SB1168 | SANYO |
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100V/4A Switching Applications |
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| 2SB1168Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
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| 2SB1168R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
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| 2SB1168S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-126 |
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