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2SB1162_2014

更新时间： 2024-09-16 01:20:03

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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1162_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1162

DESCRIPTION

·With TO-3PL package

·Complement to type 2SD1717

·Excellent linearity of h_FE

·Wide area of safe operation (ASO)

·High transition frequency f_T

APPLICATIONS

·For high power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PL) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-160

-5

UNIT

Open base

Open collector

-12

I_CM

Collector current-peak

-20

3.5

P_C

Collector power dissipation

T_C=25℃

120

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

℃

T_stg

-55~150

12 3

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