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2SB1132Q

更新时间： 2024-09-24 20:17:07
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 431K
描述
1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3

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2SB1132Q 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.34
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：32 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

2SB1132Q 数据手册

 浏览型号2SB1132Q的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
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20736 Marilla Street Chatsworth  
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TM  
2SB1132  
Micro Commercial Components  
Features  
PNP  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Plastic-Encapsulate  
Transistors  
•
Power dissipation: PCM = 0.5W(Tamb=25℃)  
•
•
•
Collector current: ICM = -1A  
Collector-base voltage: V(BR)CBO = -40V  
Operating and storage junction temperature range  
TJ, Tstg: -55℃ to + 150℃  
SOT-89  
Electrical Characteristics @ 25℃ Unless Otherwise Specified  
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Voltage  
(IC=-50μA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VCEO  
-32  
---  
---  
V
Collector-Base Voltage  
(IC=-1μA, IB=0)  
VCBO  
-40  
---  
---  
V
V
A
K
B
Emitter-Base Voltage  
(IE=-50μA, IC=0)  
VEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
-5.0  
---  
---  
---  
---  
-0.5  
-0.5  
390  
-0.5  
---  
Collector cut-off Current  
(VCB=-20V, IE=0)  
μA  
μA  
---  
E
C
Emitter cut-off Current  
(VEB=-5V, IC=0)  
DC current gain  
---  
---  
D
3
2
H
1
82  
---  
---  
G
(VCE=-2V, IC=-0.1A)  
J
F
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-2A, IB=-0.1A)  
Transition Frequency  
(VCE=2.0Vdc, IC=0.5Adc)  
Collector output capacitance  
(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz)  
VCE(sat)  
fT  
---  
V
---  
150  
20  
MHz  
1.BASE  
Cob  
---  
30  
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
CLASSIFICATION OF hFE  
Rank  
Range  
Marking  
P
Q
R
82-180  
BAP  
120-270  
BAQ  
180-390  
BAR  
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www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: 2  
2006/05/10  
12

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与2SB1132Q相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1132-Q MCC

获取价格

 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1132-Q-AB3-R UTC

获取价格

 		MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-Q-AB3-T UTC

获取价格

 		MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132Q-G WEITRON

获取价格

 		Transistor
2SB1132QGP CHENMKO

获取价格

 		暂无描述
2SB1132-Q-T MCC

获取价格

 		Transistor
2SB1132-Q-TN3-R UTC

获取价格

 		MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-Q-TN3-T UTC

获取价格

 		MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-Q-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1132R ROHM

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62

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