Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB1132-R-TN3-T

2SB1132-R-TN3-T

更新时间： 2024-01-07 19:31:04

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友顺 - UTC		晶体小信号双极晶体管
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1页	64K
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MEDIUM POWER TRANSISTOR

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2SB1132-R-TN3-T 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.58
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1132-R-TN3-T 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

SOT-89 Plastic-Encapsulated Transistors

SOT-89

2SB1132 TRANSISTOR (PNP)

1. ^BASE

FEATURES

Power dissipation

2. ^COLLECTOR

3. ^EMITTER

P_CM:

0.5

-1

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO-40

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-50µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

I_E=-50µA, I_C=0

V_CB=-20V, I_E=0

V_EB=-4V, I_C=0

MIN

-40

-32

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

µA

-0.5

390

-0.5

I_EBO

Emitter cut-off current

h_FE(1)

DC current gain

V_CE=-3V, I_C=-100mA

V_CE(sat)

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C=-500mA, I_B=-50mA

MHz

f_T

V_CE=-5V, I_C=-50mA, f=30MHz

150

C_ob

Collector output capacitance

_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

Range

82-180

120-270

BAQ

180-390

Marking

BAP

BAR

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2SB1132-R-TN3-T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SB1132L-R-TN3-R	UTC	功能相似	MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132L-R-AB3-R	UTC	功能相似	MEDIUM POWER TRANSISTOR
2SB1132-R-TN3-R	UTC	功能相似	MEDIUM POWER TRANSISTOR

与2SB1132-R-TN3-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1132-R-TP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP
2SB1132-R-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
2SB1132T100/PQ	ROHM	获取价格	1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1132T100/PR	ROHM	获取价格	1A, 32V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SB1132T100/Q	ROHM	获取价格	1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SB1132T100/R	ROHM	获取价格	1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN
2SB1132T100P	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor (-32V,ï -1A)
2SB1132T100PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1132T100PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1132T100QR	ROHM	获取价格	暂无描述

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