是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.82 |
最大集电极电流 (IC): | 1 A | 集电极-发射极最大电压: | 32 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 180 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | PNP |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 150 MHz |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SB1132-R-TN3-T | UTC |
功能相似 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132-R-TN3-R | UTC |
功能相似 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132-R-AB3-R | UTC |
功能相似 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SB1132L-R-AB3-T | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132L-R-TN3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132L-R-TN3-T | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132L-X-AB3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132L-X-TN3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132L-X-TN3-T | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR | |
2SB1132P | MCC |
获取价格 |
1000 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-3 | |
2SB1132P | ROHM |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 1A I(C) | SC-62 | |
2SB1132-P | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors | |
2SB1132-P-AB3-R | UTC |
获取价格 |
MEDIUM POWER TRANSISTOR |