2SB1133

更新时间： 2024-02-20 04:19:35

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	75K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1133 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220ML	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	140
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	40 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1133 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1133

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SD1666

·Low collector saturation voltage

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For low-frequency and general-purpose

amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

MAX

-60

-6

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-3

I_CM

Collector current-peak

-8

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-40~150

℃

T_stg

12 3 4

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