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2SB1133R

更新时间: 2024-02-16 07:54:51
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其他 - ETC 晶体晶体管
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4页 242K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220

2SB1133R 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220ML包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):140
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
Base Number Matches:1

2SB1133R 数据手册

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