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2SB1135_2014

更新时间： 2024-11-14 01:20:03

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB1135_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB1135

DESCRIPTION

·With TO-220F package

·Complement to type 2SD1668

·Low collector saturation voltage

·Wide ASO

APPLICATIONS

·Relay drivers

·High speed inverters;converters

·General high current switching application

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector

Base

Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

MAX

-60

UNIT

Open base

-50

Open collector

-6

-7

I_CM

Collector current-peak

Base current

-12

I_B

-0.5

T_a=25℃

T_C=25℃

P_C

Collector dissipation

T_j

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_stg

12 3 4

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