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2SB1136S

更新时间: 2024-01-21 12:01:43
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 405K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220VAR

2SB1136S 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.71
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):12 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):140JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:140 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):30 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):10 MHzBase Number Matches:1

2SB1136S 数据手册

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