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2SB1140S

更新时间: 2024-01-25 05:19:31
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页数 文件大小 规格书
3页 110K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-126

2SB1140S 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.72
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):80 MHz
Base Number Matches:1

2SB1140S 数据手册

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