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2SB1132T100PR

更新时间： 2024-11-13 13:01:19

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	174K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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2SB1132T100PR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	30 pF
集电极-发射极最大电压：	32 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	82	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	2 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

2SB1132T100PR 数据手册

Medium Power Transistor (32V,1A)

2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

2SB1132

2SA1515S

4 0.2

V^CE(sat)= 0.2V(Typ.)

(I^C/ IB = 500mA / 50mA)

2) Compliments 2SD1664 /

2SD1858

2 0.2

−

+0.2

4.5

−0.1

+0.2

−0.1

1.5

1.6 0.1

−

+0.15

0.45

−0.05

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

Structure

−0.05

0.5 0.1

−

0.4 0.1

1.5 0.1

−

0.4 0.1

1.5 0.1

−

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

+0.15

−0.05

+0.4

0.45

2.5

3.0 0.2

−

0.5

−0.1

(1) (2) (3)

(1) Base

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

Abbreviated symbol: BA

∗

2SB1237

2.5 0.2

−

6.8 0.2

−

0.65Max.

0.5 0.1

−

(1) (2)

(3)

2.54

0.45 0.1

−

1.05

(1) Emitter

ROHM : ATV

(2) Collector

(3) Base

Denotes hFE

∗

www.rohm.com

2009.12 - Rev.C

1/4

12 3 4 5

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