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2SB1132U-AH

更新时间： 2024-11-14 14:55:11

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功率三极管

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2SB1132U-AH 数据手册

2SB1132U-AH

PNP Silicon Epitaxial Planar Power Transistor

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current - DC

-I_C

-I_CP

Collector Current - Pulse （tp = 100 ms）

0.5 ¹⁾

2 ²⁾

P_tot

Total Power Dissipation

Junction Temperature

T_J

150

℃

Storage Temperature Range

T_Stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

250 ¹⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

62.5 ²⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

²⁾When mounted on a 40 X 40 X 0.7 mm ceramic board.

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Dated:23/05/2023 Rev: 02

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