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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-62 |
| 包装说明： | MPT3, SC-62, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.18 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1132T100PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB1132T100PR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1132T100QR | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB1132T100R | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SB1132T101 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1132T101/P | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
|
| 2SB1132T101/PQ | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
|
| 2SB1132T101Q | ROHM |
获取价格 |
1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| 2SB1132U | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
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| 2SB1132U-AH | SWST |
获取价格 |
功率三极管 |
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