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2SB1132T100/R

更新时间： 2024-11-13 13:01:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	174K
描述
1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MPT3, SC-62, 3 PIN

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2SB1132T100/R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	32 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	180
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e2
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1132T100/R 数据手册

Medium Power Transistor (32V,1A)

2SB1132 / 2SA1515S / 2SB1237

Features

Dimensions (Unit : mm)

1) Low V^CE(sat).

2SB1132

2SA1515S

4 0.2

V^CE(sat)= 0.2V(Typ.)

(I^C/ IB = 500mA / 50mA)

2) Compliments 2SD1664 /

2SD1858

2 0.2

−

+0.2

4.5

−0.1

+0.2

−0.1

1.5

1.6 0.1

−

+0.15

0.45

−0.05

(1) (2) (3)

+0.1

0.4

Structure

−0.05

0.5 0.1

−

0.4 0.1

1.5 0.1

−

0.4 0.1

1.5 0.1

−

Epitaxial planar type

PNP silicon transistor

+0.15

−0.05

+0.4

0.45

2.5

3.0 0.2

−

0.5

−0.1

(1) (2) (3)

(1) Base

(1) Emitter

(2) Collector

(3) Base

ROHM : MPT3

EIAJ : SC-62

(2) Collector

(3) Emitter

ROHM : SPT

EIAJ : SC-72

Abbreviated symbol: BA

∗

2SB1237

2.5 0.2

−

6.8 0.2

−

0.65Max.

0.5 0.1

−

(1) (2)

(3)

2.54

0.45 0.1

−

1.05

(1) Emitter

ROHM : ATV

(2) Collector

(3) Base

Denotes hFE

∗

www.rohm.com

2009.12 - Rev.C

1/4

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1132T100P	ROHM	获取价格	Medium Power Transistor (-32V,ï -1A)
2SB1132T100PQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1132T100PR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1132T100QR	ROHM	获取价格	暂无描述
2SB1132T100R	ROHM	获取价格	暂无描述
2SB1132T101	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1132T101/P	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1132T101/PQ	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3
2SB1132T101Q	ROHM	获取价格	1000mA, 32V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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