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2SA2169

更新时间： 2024-02-19 13:58:01

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	52K
描述
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

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2SA2169 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.5
Base Number Matches：	1

2SA2169 数据手册

2SA2169 / 2SC6017

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Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min

(--50)100

(--)50

max

Collector-to-Base Breakdown Voltage

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Emitter-to-Base Breakdown Voltage

Turn-On Time

=(--)100µA, I =0

(BR)CBO

(BR)CEO

(BR)EBO

=(--)1mA, R =∞

I =(--)100µA, I =0

(--)6

See specified Test Circuit.

(70)40

(650)1000

(60)80

Storage Time

stg

Fall Time

Package Dimensions

unit : mm

2045B

Package Dimensions

unit : mm

2044B

6.5

2.3

5.0

0.5

6.5

2.3

5.0

0.5

0.85

0.7

1.2

0.5

0.85

1 : Base

0.6

0.5

1.2

0 to 0.2

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

2.3

SANYO : TP-FA

2.3

SANYO : TP

Switching Time Test Circuit

PW=20µs

D.C.≤1%

OUTPUT

INPUT

50Ω

100µF

= --5V

470µF

I =20I = --20I =3A

B1 B2

For PNP, the polarity is reversed.

=20V

-- V

--5.0

5.0

2SC6017

2SA2169

--4.5

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

--2mA

2mA

--0.5

0.5

I =0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

0.5

1.0

1.5

2.0

Collector-to-Emitter Voltage, V

-- V IT08961

Collector-to-Emitter Voltage, V

-- V IT08962

No.8275-2/5

123 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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