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2SA2196

更新时间： 2024-01-04 19:52:11
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三洋 - SANYO 晶体转换器晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 45K
描述
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications

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2SA2196 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：TO-126, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.55最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：380 MHzBase Number Matches：1

2SA2196 数据手册

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Ordering number : ENA0462  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SA2196 / 2SC6101  
DC / DC Converter Applications  
Applications  
•
Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash.  
Features  
• Adoption of MBIT process.  
•
Large current capacitance.  
• Low collector-to-emitter saturation voltage.  
• High-speed switching.  
• High allowable power dissipation.  
Specifications ( ) : 2SA2196  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--30)40  
(--)30  
(--)6  
(--)5  
(--)7  
(--)600  
1
V
V
I
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
A
CP  
I
B
mA  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
8
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=(--)30V, I =0A  
Unit  
min  
max  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
(--)0.1  
(--)0.1  
560  
µA  
µA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=(--)4V, I =0A  
C
EBO  
h
FE  
=(--)2V, I =(--)500mA  
200  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=(--)10V, I =(--)500mA  
C
(380)450  
(25)20  
MHz  
pF  
Cob  
=(--)10V, f=1MHz  
Continued on next page.  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O0406EA MS IM TC-00000206 No. A0462-1/5  
12345

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