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2SA2199

更新时间： 2022-04-23 23:00:11

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	83K
描述
General Purpose Transistor

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2SA2199 数据手册

2SA2199

Transistors

General Purpose Transistor

(−50V, −100mA)

2SA2199

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

Small signal low frequency amplifier

VMN3

zFeatures

1) Excellent h^FElinearity.

2) Complements the 2SC6114.

0.22

0.16

(3)

zStructure

PNP silicon epitaxial

planar transistor

(1)

(2)

0.37

0.17

0.35

0.6

(1) Base

(2) Emitter

(3) Collector

Abbreviated symbol : P

zAbsolute maximum (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−50

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−50

−5

−100

−200

150

Collector current

∗1

∗2

Power dissipation

°C

Junction temperature

Range of storage temperature

150

Tstg

−55 to +150

°C

∗1 Pw=1ms Single pulse

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

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