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2SA2209-TL

更新时间： 2024-02-01 21:58:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TP-FA, 3 PIN

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2SA2209-TL 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.54外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SA2209-TL 数据手册

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Ordering number : ENA0235  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
50V / 15A High-Speed Switching  
Applications  
2SA2209  
Applications  
•
High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit).  
Features  
•
•
•
•
Adoption of MBIT processes.  
Large current capacitance.  
Low collector-to-emitter saturation voltage.  
High-speed switching.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
--50  
--50  
-- 6  
V
V
I
--15  
--20  
-- 3  
A
C
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
I
A
CP  
I
B
A
1
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
20  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=--40V, I =0A  
Unit  
min  
max  
--10  
--10  
500  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
µA  
µA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
I
=--4V, I =0A  
C
EBO  
h
h
1
2
=--2V, I =--330mA  
200  
50  
FE  
FE  
C
DC Current Gain  
=--2V, I =--10A  
C
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
=--10V, I =--700mA  
C
120  
140  
MHz  
pF  
Cob  
=--10V, f=1MHz  
Continued on next page.  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before using any SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
D1306EA TI IM TC-00000354  
No. A0235-1/4  
1234

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