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2SA2199T2LR

更新时间： 2024-02-04 23:12:54

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Transistor

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2SA2199T2LR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.58	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	180
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA2199T2LR 数据手册

2SA2199

Transistors

General Purpose Transistor

(−50V, −100mA)

2SA2199

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

Small signal low frequency amplifier

VMN3

zFeatures

1) Excellent h^FElinearity.

2) Complements the 2SC6114.

0.22

0.16

(3)

zStructure

PNP silicon epitaxial

planar transistor

(1)

(2)

0.37

0.17

0.35

0.6

(1) Base

(2) Emitter

(3) Collector

Abbreviated symbol : P

zAbsolute maximum (Ta=25°C)

Parameter

Symbol

Limits

−50

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−50

−5

−100

−200

150

Collector current

∗1

∗2

Power dissipation

°C

Junction temperature

Range of storage temperature

150

Tstg

−55 to +150

°C

∗1 Pw=1ms Single pulse

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

1/3

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SA2202-TD-E	ONSEMI	双极晶体管，-100V，-2A，低饱和压，PNP 单 PCP	获取价格
2SA2203	SANYO	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications	获取价格
2SA2204	SANYO	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Voltage Switching Applications	获取价格
2SA2204(TP)	ONSEMI	TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,2.5A I(C),TO-251VAR	获取价格
2SA2204-TL	ONSEMI	Small Signal Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TP-FA,	获取价格