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2SA2064

更新时间： 2024-11-20 22:49:27

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松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
3页	79K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2064 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2064 数据手册

Power Transistors

2SA2064

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

4.6 0.2

Power supply for audio & visual equipments

such as TVs and VCRs

9.9 0.3

2.9 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

φ 3.2 0.1

■ Features

• High speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• TO-220D built-in: Excellent package with withstand voltage 5 kV

guaranteed

1.4 0.2

1.6 0.2

2.6 0.1

0.8 0.1

0.55 0.15

2.54 0.30

5.08 0.50

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

1: Base

2: Collector

3: Emitter

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−50

Unit

TO-220D-A1 Package

−50

Internal Connection

−6

−10

Peak collector current

I_CP

−20

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

2.0

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−50

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_CE= −2 V, I_C= −1 A

V_CE= −2 V, I_C= −7 A

−100

µA



I_CEO

h_FE1

200

100

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −5 A, I_B= − 250 mA

− 0.5

0.5

t_on

t_stg

t_f

I_C= −4 A, Resistance loaded

I_B1= − 0.4 A, I_B2= 0.4 A

V_CC= −40 V

µs

Storage time

1.0

Fall time

0.15

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: January 2003

SJD00285BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA2065	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type
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