Datasheet > 2SA2070

2SA2070

更新时间： 2024-02-26 19:59:24

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	135K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SA2070 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-62
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.5	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SA2070 数据手册

2SA2070

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

2SA2070

High-Speed Switching Applications

Unit: mm

DC-DC Converter Applications

•

High DC current gain: h

= 200 to 500 (I = -0.1 A)

Low collector-emitter saturation voltage: V

=- 0.20 V (max)

CE (sat)

High-speed switching: t = 70 ns (typ.)

Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−50

−7

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−1.0

−2.0

−0.1

1.0

Collector current

Base current

Pulse

Collector power

dissipation

(Note)

JEDEC

JEITA

―

t = 10 s

2.0

SC-62

2-5K1A

Junction temperature

150

°C

TOSHIBA

Storage temperature range

stg

−55 to 150

Weight: 0.05 g (typ.)

Note: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:

645 mm²)

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector cut-off current

Symbol

Test Condition

= −50 V, I = 0

Min

Typ.

Max

Unit

―

−100

―

CBO

Emitter cut-off current

= −7 V, I = 0

EBO

Collector-emitter breakdown voltage

= −10 mA, I = 0

−50

200

125

―

(BR) CEO

(1)

(2)

= −2 V, I = −0.1 A

500

―

DC current gain

= −2 V, I = −0.3 A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Collector output capacitance

Rise time

= −0.3 A, I = −0.01 mA

−0.20

−1.10

―

CE (sat)

BE (sat)

= −0.3 A, I = −0.01 mA

―

= −10 V, I = 0, f = 1 MHz

―

280

―

See Figure 1.

Switching time

≈ −30 V, R = 100 Ω

Storage time

Fall time

―

stg

= −I = −10 mA

―

2004-07-07

12 3 4 5

下载PDF

与2SA2070相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SA2070(TE12L,F)	TOSHIBA	TRANSISTOR PNP 50V 1A SC-62	获取价格
2SA2070_10	TOSHIBA	High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications	获取价格
2SA2071	TYSEMI	High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC = -3A) Low saturation voltage, typically	获取价格
2SA2071	ROHM	Power transistor (−60V, −3A)	获取价格
2SA2071_11	ROHM	Power transistor	获取价格
2SA2071P5	ROHM	2SA2071P5是适用于高速开关用途的中功率MOSFET。	获取价格