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2SA2070

更新时间： 2024-11-20 22:49:27
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 135K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type

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2SA2070 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-62
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.5外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：125
JESD-30 代码：R-PSSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SA2070 数据手册

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2SA2070  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type  
2SA2070  
High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
DC-DC Converter Applications  
•
•
•
High DC current gain: h  
= 200 to 500 (I = -0.1 A)  
C
FE  
Low collector-emitter saturation voltage: V  
=- 0.20 V (max)  
CE (sat)  
High-speed switching: t = 70 ns (typ.)  
f
Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
−7  
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
DC  
I
−1.0  
−2.0  
−0.1  
1.0  
C
Collector current  
Base current  
A
A
Pulse  
I
CP  
I
B
DC  
Collector power  
dissipation  
P
(Note)  
W
C
JEDEC  
JEITA  
―
t = 10 s  
2.0  
SC-62  
2-5K1A  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Weight: 0.05 g (typ.)  
Note: Mounted on an FR4 board (glass epoxy, 1.6 mm thick, Cu area:  
645 mm2)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector cut-off current  
Symbol  
Test Condition  
= −50 V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
V
V
―
―
―
―
―
―
―
―
―
8
−100  
−100  
―
nA  
nA  
V
CBO  
CB  
EB  
E
Emitter cut-off current  
= −7 V, I = 0  
C
EBO  
Collector-emitter breakdown voltage  
V
I
= −10 mA, I = 0  
−50  
200  
125  
―
(BR) CEO  
C
B
h
FE  
h
FE  
(1)  
(2)  
V
V
= −2 V, I = −0.1 A  
500  
―
CE  
CE  
C
DC current gain  
= −2 V, I = −0.3 A  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Collector output capacitance  
Rise time  
V
I
I
= −0.3 A, I = −0.01 mA  
−0.20  
−1.10  
―
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
C
C
B
V
= −0.3 A, I = −0.01 mA  
―
B
C
ob  
V
= −10 V, I = 0, f = 1 MHz  
―
pF  
CB  
E
t
―
60  
280  
70  
―
r
See Figure 1.  
Switching time  
V
≈ −30 V, R = 100 Ω  
ns  
Storage time  
Fall time  
t
―
―
CC  
L
stg  
I
= −I = −10 mA  
B1  
B2  
t
―
―
f
1
2004-07-07  
12345

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与2SA2070相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2070(TE12L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR PNP 50V 1A SC-62
2SA2070_10 TOSHIBA

获取价格

 		High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications
2SA2071 TYSEMI

获取价格

 		High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at IC = -3A) Low saturation voltage, typically
2SA2071 ROHM

获取价格

 		Power transistor (−60V, −3A)
2SA2071 KEXIN

获取价格

 		PNP Transistor
2SA2071_11 ROHM

获取价格

 		Power transistor
2SA2071P5 ROHM

获取价格

 		2SA2071P5是适用于高速开关用途的中功率MOSFET。
2SA2071RT100 ROHM

获取价格

 		Transistor
2SA2071T100 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP
2SA2071TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor

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