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2SA2071

更新时间： 2024-11-20 22:49:27

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罗姆 - ROHM		晶体小信号双极晶体管开关
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4页	46K
描述
Power transistor (−60V, −3A)

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2SA2071 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	180 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2071 数据手册

2SA2071

Transistor

Power transistor (−60V, −3A)

2SA2071

!External dimensions (Units : mm)

!Features

−

1) High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at I^C= 3A)

2) Low saturation voltage, typically

4.0

2.5

MPT3

1.0

0.5

(1)

(2)

(3)

−

(Typ. : −200mV at I^C= 2A, I^B= 0.2A)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SC5824

(1)Base(Gate)

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : UN

(2)Collector(Drain)

(3)Emitter(Sourse)

!Applications

Low Frequency Amplifier

High speed switching

!Structure

PNP Silicon epitaxial planar transistor

!Packaging specifications

Package

Taping

T100

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

1000

2SA2071

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−60

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−6

−3

−6

500

2.0

°C

Collector current

Power dissipation

Tstg

150

Junction temperature

Range of storage temperature

1 Pw=100ms

−55~+150

2 Mounted on a 40×40×0.7 (mm) ceramic substrate

1/3

12 3 4

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