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2SA2071RT100

更新时间： 2024-11-21 14:50:55

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Transistor

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2SA2071RT100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	180
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SA2071RT100 数据手册

2SA2071

Transistor

Power transistor (−60V, −3A)

2SA2071

!External dimensions (Units : mm)

!Features

−

1) High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at I^C= 3A)

2) Low saturation voltage, typically

4.0

2.5

MPT3

1.0

0.5

(1)

(2)

(3)

−

(Typ. : −200mV at I^C= 2A, I^B= 0.2A)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SC5824

(1)Base(Gate)

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : UN

(2)Collector(Drain)

(3)Emitter(Sourse)

!Applications

Low Frequency Amplifier

High speed switching

!Structure

PNP Silicon epitaxial planar transistor

!Packaging specifications

Package

Taping

T100

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

1000

2SA2071

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−60

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−6

−3

−6

500

2.0

°C

Collector current

Power dissipation

Tstg

150

Junction temperature

Range of storage temperature

1 Pw=100ms

−55~+150

2 Mounted on a 40×40×0.7 (mm) ceramic substrate

1/3

12 3

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