5秒后页面跳转
2SA2081CCTL-E PDF预览

2SA2081CCTL-E

更新时间: 2024-02-04 11:25:09
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
5页 163K
描述
Silicon PNP Epitaxial

2SA2081CCTL-E 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):0.1 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):400
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.15 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES

2SA2081CCTL-E 数据手册

 浏览型号2SA2081CCTL-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA2081CCTL-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA2081CCTL-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SA2081CCTL-E的Datasheet PDF文件第5页 
2SA2081  
Silicon PNP Epitaxial  
REJ03G0644-0100  
(Previous ADE-208-1477)  
Rev.1.00  
Aug.10.2005  
Features  
Low frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PTSP0003ZA-A  
(Package name: CMPAK R  
)
3
1. Emitter  
Base  
lector  
f Renesas Technology Corp.  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Collector current  
Ratings  
–55  
Unit  
V
–55  
V
–5  
V
–100  
mA  
mW  
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
150  
stg  
–55 to +150  
*Value on the glass epm x 0.7 mm)  
Rev.1.00 Aug 10, 2005 page 1 of 4  

与2SA2081CCTL-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA2081CDTL-E RENESAS Silicon PNP Epitaxial

获取价格

2SA2081D ETC BJT

获取价格

2SA2081E ETC BJT

获取价格

2SA2083 ETC

获取价格

2SA2083C ETC BJT

获取价格

2SA2083D ETC BJT

获取价格