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2SA2090

更新时间： 2024-02-11 18:40:18

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	85K
描述
Medium power transistor

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2SA2090 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-96
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	400 MHz

2SA2090 数据手册

2SA2090

Transistors

Medium power transistor (−60V, −0.5A)

2SA2090

zDimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) High speed switching. (Tf : Typ. : 35ns at I

= 500mA)

2.8

1.6

TSMT3

2) Low saturation voltage, typically.

−

(Typ. : 150mV at I

= 100mA, I = 10mA)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SC5868.

(1) Base

(2) Emitter

0.3 ~ 0.6

Each lead has same dimensioins

(3) Collector

Abbreviated symbol : VM

zApplications

High speed switching, Low noise

zStructure

NPN Silicon epitaxial planar

zPackaging Specifications

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

2SA2090

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−60

−6

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−0.5

−1.0

Collector current

Power dissipation

∗

500

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

Tstg

−55 to +150

∗1 Pw=10ms

∗2 Each terminal mounted on a recommended land.

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