Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA2096

2SA2096

更新时间： 2024-02-21 21:28:37

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	87K
描述
Power transistor (-60V, -5A)

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2SA2096 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	CPT3, SC-63, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.77
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn98Cu2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2096 数据手册

2SA2096

Transistors

Power transistor (−60V, −5A)

2SA2096

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) High speed switching.

1.5

5.5

CPT3

−

(SC-63)

(Tf : Typ. : 25ns at IC = 5A)

2) Low saturation voltage, typically

<SOT-428>

0.9

−

(Typ. 200mV at IC = 3A, IB = 0.3A)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

C0.5

(1) Base

(2) Collector

(3) Emitter

1.5

0.8Min.

4) Complements the 2SC5881

2.5

9.5

(x1 / 2)

Each lead has same dimensions

Abbreviated symbol : A2096

zApplications

Low frequency amplifier

High speed switching

zStructure

PNP Silicon epitaxial planar transistor

zPackaging specifications

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

2SA2096

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−60

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−60

−6

Collector current

−5.0

−10.0

1.0

∗1

Pulsed

∗2

Power dissipation

∗3

10.0

150

°C

Junction temperature

Tstg

Range of storage temperature

−55 to 150

∗1 Pw=100ms

∗2 Ta=25°C

∗3 Tc=25°C

Rev.A

1/3

12 3 4

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