2SA2113RTL

更新时间： 2024-01-23 09:07:40

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罗姆 - ROHM		晶体晶体管
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Transistor

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2SA2113RTL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-96
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	180	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	350 MHz	Base Number Matches：	1

2SA2113RTL 数据手册

2SA2113

Transistor

Medium power transistor (−30V, −2A)

2SA2113

!External dimensions (Units : mm)

!Features

−

1) High speed switching. (Tf : Typ. : 20ns at I^C= 2A)

2) Low saturation voltage, typically

2.8

1.6

TSMT3

−

(Typ. : −200mV at I^C= 1A, I^B= 0.1A)

3) Strong discharge power for inductive load and

capacitance load.

4) Complements the 2SC5916

(1)Base

0.3 0.6

Each lead has same dimensions

(2)Emitter

(3)Collector

Abbreviated symbol : UX

!Applications

Low frequency amplifier

High speed switching

!Structure

PNP Silicon epitaxial planar transistor

!Packaging specifications

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

2SA2113

!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

Limits

−30

Unit

VCBO

VCEO

VEBO

−6

−2

−4

500

150

°C

Collector current

Power dissipation

Junction temperature

Range of storage temperature Tstg

−55~+150

1 Pw=10ms

2 Each terminal mounted on a recommended land

1/3

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