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2SA2090

更新时间： 2024-01-01 03:55:16
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 85K
描述
Medium power transistor

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2SA2090 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：400 MHz

2SA2090 数据手册

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2SA2090  
Transistors  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Conditions  
Unit  
V
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
−60  
−60  
−6  
−
−
−
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
I
I
C
=
=
−1mA  
−
−
V
C
−100mA  
−100µA  
V
−
I
E
=
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
−
−
µA  
µA  
V
CB  
=
−60V  
−4V  
−
−
−
−1.0  
−1.0  
−300  
270  
−
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
V
EB  
=
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
I
C=  
−100mA, I  
B
=
−10mA  
−50mA  
100mA, f  
=0mA,  
V
−150  
mV  
−
−
120  
−
V
CE  
=
−2V, IC=  
h
Transition frequency  
400  
fT  
MHz  
pF  
∗1  
V
CE  
CB  
=
=
−10V, I  
−10V, I  
E
E
=
=
10MHz  
−
V
f
=
1MHz  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
−
−
−
−
10  
35  
Cob  
Ton  
Tstg  
ns  
ns  
ns  
−
−
−
I
I
I
C=  
−500mA,  
B1  
=
=
−50mA  
50mA  
∼
Storage time  
100  
B2  
∗1  
Fall time  
V
CC −25V  
Tf  
60  
−
∗1 Measured using pulse current  
zhFE RANK  
Q
120-270  
zElectrical characteristic curves  
10  
1000  
100  
10  
100  
Ta=25°C  
400µA  
IB=450µA  
V
CC=25V  
10ms  
1ms  
350µA  
300µA  
80  
60  
40  
1
0.1  
500µs  
Tstg  
250µA  
200µA  
100ms  
Tf  
DC  
150µA  
100µA  
Ton  
0.01  
0.001  
20  
0
50µA  
0µA  
Single non repoetitive pulse  
1
0.01  
0.1  
COLLECTOR CURRENT : I  
1
0
1
2
3
4
5
0.1  
10  
100  
C
(A)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : VCE (V)  
Fig.3 Switching Time  
Fig.1 Typical output characteristics  
Fig.2 Safe operating area  
1000  
1000  
100  
10  
10  
1
Ta=25°C  
V
CE=2V  
IC/IB=10/1  
Ta=100°C  
Ta=25°C  
V
CE=5V  
V
CE=2V  
CE=3V  
Ta=−40°C  
100  
V
125°C  
0.1  
0.01  
25°C  
−40°C  
10  
0.001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
0.001  
0.01  
0.1  
1
0.01  
0.1  
1
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
Fig.4 DC current gain vs. collector  
Fig.5 DC current gain vs. collector  
Fig.6 Collector-emitter saturation voltage  
current ( Ι )  
current (ΙΙ)  
vs. collector current ( Ι )  
2/3  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SA2090_11 ROHM Medium power transistor (-60V, -0.5A)

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