5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SA2092
2SA2092 PDF预览

2SA2092

更新时间： 2024-11-09 03:56:27
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
-1A / -60V Bipolar transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SA2092 数据手册

 浏览型号2SA2092的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA2092的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA2092的Datasheet PDF文件第4页 
2SA2092  
Transistors  
-1A / -60V Bipolar transistor  
2SA2092  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplications  
High-speed switching, low frequency amplification  
TSMT3  
1.0MAX  
zFeature  
2.9  
0.4  
0.85  
0.7  
1) High speed switching. (tf : Typ. : 30ns at IC = -1A)  
2) Low saturation voltage.  
(
(
)
)
3
−
−
−
(Typ. : 200mV at IC = 500mA, IB = 50mA)  
3) Strong discharge resistance for inductive load and  
capacitance load.  
( )  
2
1
4) Low switching noise.  
0.95 0.95  
1.9  
0.16  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
Each lead has same dimensions  
zStructure  
PNP epitaxial planar silicon transistor  
Abbreviated symbol : VN  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zPackaging specifications  
Package  
TSMT3  
Taping  
TL  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
−60  
−60  
−6  
Unit  
V
Packaging type  
Code  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
Part No.  
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
V
2SA2092  
DC  
PULSE  
I
C
−1  
A
Collector current  
∗
1
2
I
CP  
−2  
A
zhFE rank  
∗
Power dissipation  
P
C
500  
mW  
Q
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
120-270  
Range of storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
∗
∗
1 Pw=10ms  
2 Each terminal mounted on a recommended land  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
Conditions  
Unit  
V
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
−60  
−60  
−6  
−
−
−
Collector-emitter breakdown voltage  
Collector-base breakdown voltage  
I
I
C
=
=
−1mA  
−
−
V
C
−100µA  
V
−
I
E
=
−100µA  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
−
−
µA  
µA  
V
CB  
=
−40V  
−4V  
−
−
−
−1.0  
−1.0  
−500  
270  
−
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
V
EB  
=
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
I
C=  
−500mA, I  
B
=
−50mA  
−100mA  
100mA, f  
=0 1MHz  
V
−200  
mV  
−
−
∗3 120  
hFE  
V
CE  
=
−2V, IC=  
∗1  
−
Transition frequency  
300  
15  
f
T
MHz  
pF  
ns  
V
CE  
CB  
=
=
−10V, I  
−10V, I  
E
E
=
=10MHz  
Collector output capacitance  
Turn-on time  
Cob  
−
−
−
−
−
−
−
V
,
f
=
ton  
tstg  
tf  
30  
I
I
I
C=  
−1A,  
B1  
=
=
−100mA  
100mA  
∼
ns  
Storage time  
100  
B2  
ns  
∗2  
Fall time  
V
CC −25V  
−
30  
−
∗1 Pulse measurement  
∗2 See switching test circuit  
∗3 hFE rank  
1/3  
1234

中文翻译

下载PDF

与2SA2092相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA2092_11 ROHM

获取价格

 		-1A /-60V Bipolar transistor Low switching noise.
2SA2092TLQ ROHM

获取价格

 		-1A / -60V Bipolar transistor
2SA2093 ROHM

获取价格

 		Power transistor (−60V, −2A)
2SA2093_11 ROHM

获取价格

 		Power transistor (-60V, -2A)
2SA2093TV2 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 PI
2SA2093TV2Q ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 PI
2SA2093TV2R ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 PI
2SA2094 ROHM

获取价格

 		Medium power transistor (-60V, -2A)
2SA2094_11 ROHM

获取价格

 		Medium power transistor (-60V, -2A)
2SA2094TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMP

与2SA2092相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证