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2SA2084

更新时间： 2024-11-06 22:49:27

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松下 - PANASONIC		/
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3页	76K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SA2084 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	300 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

2SA2084 数据手册

Transistors

2SA2084

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

For general amplification

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

• High collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

(0.95) (0.95)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

1.9 ^0.1

+0.20

2.90

–0.05

Parameter

Symbol

Rating

−300

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

10˚

−300

−5

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

−70

°C

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

−100

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

200

150

Marking Symbol: 7N

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

V_EBO

h_FE

Conditions

Min

−300

−5

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

Collector-emitter saturation voltage

I_C= −100 µA, I_B= 0

I_E= −1 µA, , I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

150



V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.6

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

(Common base, input open circuited)

Transition frequency

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE

30 to 100

60 to 150

Publication date: January 2003

SJC00286AED

12 3

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与2SA2084相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SA2084P	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59
2SA2086S	ROHM	获取价格	Medium power transistor (-30V, -1A)
2SA2086STPQ	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SPT, 3 PI
2SA2086STPR	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SPT, 3 PI
2SA2087	ROHM	获取价格	Power transistor
2SA2087TV2Q	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 PI
2SA2088	ROHM	获取价格	Medium power transistor (−60V, −0.5A)
2SA2088_1	ROHM	获取价格	Medium power transistor (−60V, −0.5A)
2SA2088_11	ROHM	获取价格	Medium power transistor (-60V, -0.5A)
2SA2088Q	ROHM	获取价格	Transistor

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