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2SA2089STPQ

更新时间: 2024-11-09 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SPT, SC-72, 3 PIN

2SA2089STPQ 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-72包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.5 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):120
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):400 MHzBase Number Matches:1

2SA2089STPQ 数据手册

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2SA2089S  
Transistors  
Medium power transistor (60V, 0.5A)  
2SA2089S  
!External dimensions (Unit : mm)  
!Features  
1) High speed switching.  
4.0  
2.0  
SPT  
(SC-72)  
(Tf : Typ. : 60ns at IC = 500mA)  
2) Low saturation voltage, typically  
:
(Typ. 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA)  
3) Strong discharge power for inductive load and  
capacitance load.  
0.45  
2.5  
0.5  
0.45  
5.0  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
4) Complements the 2SC5877S  
(1) (2) (3)  
Taping specifications  
Abbreviated symbol : A2089S  
!Applications  
Small signal low frequency amplifier  
High speed switching  
!Structure  
PNP Silicon epitaxial planar transistor  
!Packaging specifications  
Package  
Taping  
TP  
Code  
Type  
Basic ordering unit (pieces)  
5000  
2SA2089S  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
60  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
60  
V
6  
DC  
Collector current  
I
C
A
0.5  
Pulsed  
I
CP  
A
1.0  
P
C
mW  
°C  
Power dissipation  
300  
Tj  
Junction temperature  
150  
Tstg  
°C  
Range of storage temperature  
55 to 150  
Pw=10ms  
1/3  

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