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2SA2068C

更新时间： 2024-11-21 13:04:11
品牌 Logo 应用领域
谏早电子 - ISAHAYA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 48K
描述
Transistor

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2SA2068C 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.61
Base Number Matches：1

2SA2068C 数据手册

 浏览型号2SA2068C的Datasheet PDF文件第2页 
〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉  
PRELIMINARY  
2SA2068  
Notics:This is not a final specification.  
FOR LOW  
ꢀFREQUENCY AMPLIFY APPLICATION  
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE  
Some parametric limits are subject to change. ꢀ  
DESCRIPTION  
OUTLINE DRAWING  
Unit  
：ｍｍ  
ꢀ2SA2068isa super mini package resin sealed  
silicon PNP epitaxial transistor,  
It is designed for low frequency application.  
Since it is a super-thin flat lead type package,a high-density  
ꢀmountingarepossible.  
0.8  
0.2  
0.2  
Complementary with 2SA1235A.  
①
②
FEATURE  
③
●Super-thin flat lead type package.ꢀt=0.45mm  
●Excellent linearly of DC forward current gain.  
●Low collector to emitter saturation voltage  
VCE(sat)=-0.3V max (@Ic=-100mA/IB=-10mA)  
APPLICATION  
For hybrid IC,small type machine low frequency voltage amplify  
application.  
MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃）  
JEITA：  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I O  
Parameter  
Ratings  
-50  
Unit  
V
Collector to Base voltage  
Collector to Emitter voltage  
Emitter to Base voltage  
Collector current  
TERMINAL CONNECTER  
①：BASE  
-6  
V
-50  
V
②：EMITTER  
-200  
mA  
mW  
℃
℃
③：COLLECTOR  
Pc  
Collector dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
100  
Tj  
＋125  
-55～＋125  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃）  
Limits  
Typ  
―
-
Min  
-50  
-
Max  
―
Collector to Emitter Breakdown voltage  
Collector cut off current  
Emitter cut off current  
DC forward current gain  
DC forward current gain  
C toE saturation voltage  
Gain bandwidth product  
Collector output capacitance  
Noise figure  
V(BR)CEO  
I =-100μA, R BE=∞  
C
V
-0.1  
μA  
ICBO  
IEBO  
hFE  
hFE  
V CB=-50V, I E=0mA  
V EB=-6V, I C=0mA  
V CE=-6V, I C=-1mA  
V CE=-6V, I C=-0.1mA  
-
-
-0.1  
800  
-
μA  
-
150  
90  
-
※
-
-
VCE(sat) I =-100mA, I B=-10mA  
C
-
- 0.3  
-
v
fT  
V CE=-6V, I E=10mA  
-
200  
4.0  
-
MHz  
pF  
dB  
Cob  
NF  
V CB=-6V, I E=0mA,f=1MHz  
-
-
V CE=-6V, I E=0.3mA,f=100Hz,RG=10kΩ  
-
20  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
※ꢀItshows hFE classification in below table.  
Item  
hFE  
E
F
G
150～300  
ME  
250～500  
MF  
400～800  
MG  
Abbrivation  
ISAHAYA  
ꢀELECTRONICSꢀCORPORATION  
12

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