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2SA2067Q

更新时间： 2024-11-25 19:58:35

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	230K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN

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2SA2067Q 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	90 MHz
Base Number Matches：	1

2SA2067Q 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power Transistors

2SA2067

Silicon PNP epitaxial planar type

Unit: mm

Power supply for audio & visual equipments

such as TVs and VCRs

10.0 0.2

5.0 0.1

1.0 0.2

Industrial equipments such as DC-DC converters

■ Features

1.2 0.1

• High speed switching (t_stg: storage time/t_f: fall time is short)

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• Superior forward current transfer ratio h_FElinearity

• Allowing automatic insertion eith radial taping

C 1.0

1.48 0.2

2.25 0.2

0.65 0.1

0.35 0.1

0.65 0.1

1.05 0.1

0.55 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.5 0.2

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

2 3

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

−60

MT-4-A1 Package

−6

−3

Internal Connection

Peak collector current

I_CP

−6

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

2.0

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−60

V_CB= −60 V, I_E= 0

V_CE= −60 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

−100

−1

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE1

V_CE= −4 V, I_C= −1 A

V_CE= −4 V, I_C= −3 A

120

320

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= −3 A, I_B= − 375 mA

− 0.8

MHz

µs

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= −10 V, I_C= − 0.1 A, f = 10 MHz

I_C= −1 A, Resistance loaded

I_B1= − 0.1 A, I_B2= 0.1 A

V_CC= 50 V

0.3

0.7

Storage time

µs

Fall time

0.15

µs

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

h_FE1

120 to 250

160 to 320

Publication date: January 2003

SJD00286BED

12 3

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