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2SA1973-5

更新时间： 2024-01-25 01:33:09
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346

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2SA1973-5 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：135JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SA1973-5 数据手册

 浏览型号2SA1973-5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SA1973-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SA1973-5的Datasheet PDF文件第4页 
2SA1973/2SC5310  
Continued on preceding page.  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
V
V
=(–)10V, I =(–)50mA  
150  
MHz  
pF  
mV  
mV  
V
T
CE  
CB  
C
Cob  
=(–)10V, f=1MHz  
(32)19  
(–150) (–300)  
100 200  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
V
V
(sat)  
I
=(–)500mA, I =(–)25mA  
C B  
CE  
Base-to-Emitter Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-to-Base Breakdown Voltage  
Turn-ON Time  
(sat)  
I
I
I
=(–)500mA, I =(–)25mA  
B
=(–)10µA, I =0  
E
(–)0.85 (–)1.2  
BE  
C
C
C
V
V
V
(–)30  
(–)25  
(–)6  
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
=(–)1mA, R =∞  
V
BE  
I =(–)10µA, I =0  
V
E
C
(60)60  
(350)  
500  
ns  
t
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
See specified Test Circuit  
on  
ns  
ns  
ns  
Storage Time  
Fall Time  
t
stg  
(25)25  
t
f
Switching Time Test Circuit  
I
B1  
PW=20µs  
D.C.≤1%  
I
B2  
OUTPUT  
INPUT  
1kΩ  
R
L
V
R
+
+
50Ω  
100µF  
470µF  
V
=--5V  
V
=12V  
CC  
BE  
20I = --20I = I =500mA  
B1 B2  
C
(For PNP, the polarity is reversed.)  
I
-- V  
I
-- V  
C CE  
C
CE  
--1.0  
--0.8  
--0.6  
--0.4  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
2SA1973  
Pulse  
2SC5310  
Pulse  
6mA  
4mA  
2mA  
--6mA  
--4mA  
--2mA  
0.2  
0
--0.2  
0
I =0  
B
I =0  
B
0
--0.4  
--0.8  
--1.2  
--1.6  
--2.0  
– V  
ITR08234  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6 2.0  
– V  
ITR08235  
Collector-to-Emitter Voltage, V  
Collector-to-Emitter Voltage, V  
CE  
CE  
I
-- V  
I
-- V  
BE  
C
BE  
C
--1000  
--800  
--600  
--400  
1000  
800  
600  
400  
2SA1973  
=--2V  
Pulse  
2SC5310  
V =2V  
V
CE  
CE  
Pulse  
--200  
0
200  
0
0
--0.2  
--0.4  
--0.6  
--0.8  
--1.0  
--1.2  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
ITR08237  
Base-to-Emitter Voltage, V  
BE  
– V  
Base-to-Emitter Voltage, V – V  
BE  
ITR08236  
No.5613–2/4  
1234

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与2SA1973-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1973-6 SANYO

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-346
2SA1977 NEC

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1977 RENESAS

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
2SA1977 KEXIN

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
2SA1977 UTC

获取价格

 		PNP
2SA1977(NE97733) NEC

获取价格

 		Discrete
2SA1977FB NEC

获取价格

 		UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1977-FB NEC

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 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
2SA1977-FB-A NEC

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2SA1977G-AE3-R UTC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,

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