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2SA1734R1G

更新时间： 2024-09-19 21:13:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
1200mA, 30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 1213-02, 3 PIN

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2SA1734R1G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：1.2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.56 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2SA1734R1G 数据手册

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2SA1734R1G  
Preferred Device  
PNP Silicon Transistor  
The device is housed in the SOT-89 package, which is designed for  
medium power surface mount applications.  
• High Current: 1.2 Amp  
• Available in 7 inch/1000 unit Tape and Reel  
• Device Marking: SA  
http://onsemi.com  
MEDIUM POWER  
PNP SILICON  
HIGH CURRENT  
TRANSISTOR  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
-30  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
-40  
SURFACE MOUNT  
-6  
I
C
-1.2  
Total Power Dissipation  
P
D
COLLECTOR 2  
@ T = 25°C  
Derate above 25°C  
(Note 1)  
1.56  
13  
0.67  
5.0  
Watts  
mW/°C  
Watts  
A
BASE  
1
(Note 2)  
mW/°C  
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
- 65 to 150  
°C  
J
stg  
EMITTER  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance  
Junction-to-Ambient  
(surface mounted)  
R
°C/W  
θ
JA  
(Note 1)  
(Note 2)  
60  
190  
YM  
1
2
Maximum Temperature for  
Soldering Purposes  
Time in Solder Bath  
T
3
L
SA  
260  
10  
°C  
Sec  
SOT-89  
CASE 1213  
STYLE 2  
Y
= Year Code  
1. FR-4 @ 1.0 X 1.0 inch Pad 2.0 oz. Cu PCB  
2. FR-4 @ Minimum Pad  
M = Month Code  
SA= Device Code  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
2SA1734R1G  
SOT-89  
1000/Tape & Reel  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
July, 2003 - Rev. 0  
2SA1734R1G/D  
1234

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与2SA1734R1G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1734T1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),SOT-89
2SA1734T2G ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 1213-02, 3 PIN, BIP Gener
2SA1734T2G/D ETC

获取价格

 		PNP Medium Power Silicon High Current Transistor
2SA1734TE12L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign
2SA1735 TYSEMI

获取价格

 		Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -500mA) Small Flat Package
2SA1735 KEXIN

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 		Power Switching Applications
2SA1735 TOSHIBA

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 		TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1735(TE12R,F) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
2SA1735_07 TOSHIBA

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 		Power Amplifier Applications Power Switching Applications
2SA1735_09 TOSHIBA

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 		Power Amplifier Applications Power Switching Applications

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