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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 30 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.56 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SA1734T1 | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,PNP,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),SOT-89 |
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| 2SA1734T2G | ONSEMI |
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TRANSISTOR 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 1213-02, 3 PIN, BIP Gener |
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| 2SA1734T2G/D | ETC |
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PNP Medium Power Silicon High Current Transistor |
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| 2SA1734TE12L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sign |
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| 2SA1735 | TYSEMI |
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Low Saturation Voltage: VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -500mA) Small Flat Package |
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| 2SA1735 | KEXIN |
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Power Switching Applications |
|
| 2SA1735 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS) |
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| 2SA1735(TE12R,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Bipolar Transistor |
|
| 2SA1735_07 | TOSHIBA |
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Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
|
| 2SA1735_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
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