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2SA1734TE12L

更新时间: 2024-11-26 14:46:19
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东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
TRANSISTOR 1200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

2SA1734TE12L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.8
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):1.2 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JESD-30 代码:R-PSSO-F3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.5 VBase Number Matches:1

2SA1734TE12L 数据手册

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