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2SA1739

更新时间： 2024-01-10 04:09:01

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TYSEMI		晶体开关晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	70K
描述
High speed switching. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat).

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2SA1739 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	15 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1500 MHz	Base Number Matches：	1

2SA1739 数据手册

SMD Type

TransistIoCrs

Product specification

2SA1739

Features

High speed switching.

Low collector-emitter saturation voltage V^CE(sat).

1 Emitter

2 Base

3 Collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C

Rating

-15

Unit

-15

-4

Collector current

-50

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

I^CP

-100

150

P^C

T^j

150

T^stg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

I^CBO

Testconditons

Min

Typ

-0.1

Max

-0.1

150

-0.2

Unit

ìA

Collector-base cutoff current

Emitter-base cutoff current

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V^CB= -8 V, I^E= 0

I^EBO

V^CE= -3 V, I^C= 0

ìA

h^FE

V^CE= -1 V, I^C= -10 mA

V^CE(sat)I^C= -10 mA, I^B= -1 mA

VCB = -10 V, IE = 10 mA, f = 200 MHz

800 1500

MHz

Collector output capacitance

C^ob

V^CB= -5 V, I^E= 0, f = 1 MHz

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t^on

t^off

t^stg

hFE Classification

Marking

Rank

h^FE

No-rank

50 150

50 120

90 150

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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