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2SA1736-TP

更新时间： 2024-11-21 20:10:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 435K
描述
Transistor,

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2SA1736-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84JESD-609代码：e3
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

2SA1736-TP 数据手册

 浏览型号2SA1736-TP的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
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$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
2SA1736  
Micro Commercial Components  
Features  
·
·
·
·
·
Low saturation voltage: VCE(sat) =0.5V(Max.) (IC=1.5A)  
PNP Silicon  
Power Transistors  
High speed switching: tstg=0.2us(Typ.)  
Small flat package  
PC=1~2W (Mounted on ceramic substrate)  
Complementary to 2SC4541  
·
•
Marking : LD  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
SOT-89  
Maximum Ratings  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Rating  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Rating  
50  
60  
6.0  
3.0  
Unit  
V
V
V
A
A
K
B
IB  
Base Current  
0.6  
A
PC  
PC*  
TJ  
TSTG  
Collector power dissipation  
Collector power dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
500  
1000  
-55 to +150  
-55 to +150  
mW  
mW  
OC  
OC  
E
C
D
3
2
H
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
1
G
J
Symbol  
Parameter  
Min  
Typ Max  
Units  
F
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
50  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
0.1  
0.1  
Vdc  
uAdc  
uAdc  
1.BASE  
(I =10mAdc, IE=0)  
C
2.COLLECTOR  
3.EMITTER  
ICBO  
Collector-Base Cutoff Current  
(VCB=60Vdc,I =0)  
E
IEBO  
Emitter-Base Cutoff Current  
(VEB=6.0Vdc, I =0)  
C
ON CHARACTERISTICS  
hFE-1  
hFE-2  
VCE(sat)  
BCE(sat)  
fT  
DC Current Gain  
120  
40  
---  
---  
---  
---  
400  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=2.0Vdc)  
DC Current Gain  
C
ꢈꢀꢇꢄꢁꢅꢀꢁꢅꢆ  
(I =2.0Adc, VCE=2.0Vdc)  
C
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ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ  
ꢇꢀꢁꢆ ꢇꢉꢊꢆ  
ꢇꢇꢆ  
ꢁꢋꢌꢄꢅꢆ  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =1.5Adc, I =75mAdc)  
---  
0.5  
1.2  
---  
Vdc  
Vdc  
MHz  
pF  
ꢇꢀꢁꢆ  
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ꢍꢕꢗꢗꢆ  
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ꢍꢕꢏꢎꢆ  
ꢍꢎꢔꢗꢆ  
ꢍꢕꢐꢓꢆ  
ꢍꢎꢕꢕꢆ  
ꢚꢚꢚꢚꢚꢆ  
ꢆ
C
B
ꢆ
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =1.5Adc, I =75mAdc)  
---  
ꢆ
ꢆ
C
B
ꢆ
Transition Frequency  
--- 100  
ꢌꢛꢜꢆ  
(I =100mAdc, VCE=2.0Vdc)  
C
ꢍꢕꢎꢓꢆ  
ꢍꢕꢘꢎꢆ  
ꢍꢕꢎꢔꢆ  
ꢍꢕꢔꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢑꢆ  
ꢕꢍꢗꢐꢆ  
ꢕꢍꢒꢎꢆ  
ꢎꢍꢔꢕꢆ  
ꢆ
ꢆ
ꢆ
ꢆ
Cob  
Collector Output Capacitance  
---  
---  
---  
---  
32  
---  
(VCE=10Vdc, I =0, f=1.0MHz)  
E
 ꢆ  
ton  
Turn-on Time  
0.1  
0.2  
0.1  
---  
us  
(I =IB2=75mAdc, Duty Cycle<1%)  
B1  
tstg  
Storage Time  
---  
us  
(I =IB2=75mAdc, Duty Cycle<1%)  
B1  
tf  
Fall Time  
---  
us  
(I =IB2=75mAdc, Duty Cycle<1%)  
B1  
* Mounted on ceramic substrate (250mm2x0.8t)  
www.mccsemi.com  
Revision: 3  
2006/05/08  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SA1737 ETC

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2SA1737H PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1737TX PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 85V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SA1738 PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1738 KEXIN

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2SA1738 TYSEMI

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2SA1738Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59
2SA1738R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SC-59
2SA1738TSK PANASONIC

获取价格

 		RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP
2SA1739 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planer type

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