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2SA1739G

更新时间： 2024-11-21 20:09:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	240K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, PNP, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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2SA1739G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.82	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1500 MHz
Base Number Matches：	1

2SA1739G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors

2SA1739

Silicon PNP epitaxial planar type

For high speed switching

Unit: mm

+0.10

–0.05

Complementary to 2SC3938

+0.1

–0.0

0.15

0.3

■ Features

• High speed switching

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10˚

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−15

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

1: Base

2: Emitter

3: Collector

−15

−4

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

−50

°C

Peak collector current

I_CP

−100

150

Marking Symbol: AX

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

T_j

150

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

− 0.1

150

Unit

µA



Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

V_CB= −8 V, I_E= 0

I_EBO

V_CE= −3 V, I_C= 0

h_FE1

V_CE= −1 V, I_C= −10 mA

V_CE= −1 V, I_C= −1 mA

h_FE2

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= −1 mA

− 0.1 − 0.2

MHz

f_T

V_CB= −10 V, I_E= 10 mA, f = 200 MHz 800

V_CB= −5 V, I_E= 0, f = 1 MHz

1 500

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Turn-off time

Storage time

t_on

t_off

t_stg

Refer to the switching time

measurement circuit

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Rank classification

Rank

No-rank

50 to 150

h_FE1

50 to 120

AXQ

90 to 150

AXR

Marking symbol

Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.

Publication date: March 2003

SJC00027BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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