2N7002KT3G

更新时间： 2024-02-22 22:02:46

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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6页	103K
描述
Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, NâChannel, SOTâ23

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2N7002KT3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.17
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.32 A	最大漏极电流 (ID)：	0.32 A
最大漏源导通电阻：	1.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002KT3G 数据手册

2N7002K, 2V7002K

TYPICAL CHARACTERISTICS

iss

T = 25°C

= 0.2 A

T = 25°C

= 0 V

oss

rss

0.2

0.4

0.6

0.8

GATE−TO−SOURCE OR DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)

Figure 7. Capacitance Variation

Figure 8. Gate−to−Source and

Drain−to−Source Voltage vs. Total Charge

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

= 250 mA

= 0 V

T = 85°C

T = 25°C

0.1

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

−50 −25

100

125 150

V , SOURCE−TO−DRAIN VOLTAGE (V)

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current

Figure 10. Threshold Voltage with

Temperature

http://onsemi.com

1 2 345 6

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