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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N7002KT3G
2N7002KT3G PDF预览

2N7002KT3G

更新时间： 2024-01-02 23:02:13
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 103K
描述
Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23

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2N7002KT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：LEAD FREE, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.17
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.32 A最大漏极电流 (ID)：0.32 A
最大漏源导通电阻：1.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002KT3G 数据手册

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2N7002K, 2V7002K  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
300  
92  
Unit  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 3)  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s (Note 3)  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 4)  
Junction−to−Ambient − t ≤ 5 s (Note 4)  
R
q
JA  
°C/W  
417  
154  
3. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq in pad size with 1 oz Cu.  
4. Surface−mounted on FR4 board using 0.08 sq in pad size with 1 oz Cu.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise specified)  
J
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
V
V
GS  
= 0 V, I = 250 mA  
60  
V
(BR)DSS  
D
Drain−to−Source Breakdown Voltage  
Temperature Coefficient  
V
/T  
71  
mV/°C  
(BR)DSS  
J
Zero Gate Voltage Drain Current  
I
T = 25°C  
1
mA  
DSS  
J
V
V
= 0 V,  
= 60 V  
GS  
T = 125°C  
J
10  
DS  
V
GS  
= 0 V,  
T = 25°C  
J
100  
nA  
V
DS  
= 50 V  
Gate−to−Source Leakage Current  
I
V
= 0 V, V  
=
=
20 V  
10 V  
5.0 V  
10  
450  
150  
mA  
nA  
nA  
GSS  
DS  
DS  
DS  
GS  
GS  
GS  
V
= 0 V, V  
V
= 0 V, V  
=
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
V
V
GS  
= V , I = 250 mA  
1.0  
2.3  
V
GS(TH)  
DS  
D
Negative Threshold Temperature  
Coefficient  
V
/T  
4.0  
mV/°C  
GS(TH)  
J
Drain−to−Source On Resistance  
R
V
= 10 V, I = 500 mA  
1.19  
1.33  
530  
1.6  
2.5  
W
DS(on)  
GS  
D
V
GS  
= 4.5 V, I = 200 mA  
D
Forward Transconductance  
g
FS  
V
= 5 V, I = 200 mA  
mS  
pF  
DS  
D
CHARGES AND CAPACITANCES  
Input Capacitance  
C
24.5  
4.2  
2.2  
0.7  
0.1  
0.3  
0.1  
ISS  
V
= 0 V, f = 1 MHz,  
GS  
Output Capacitance  
C
C
OSS  
RSS  
V
DS  
= 20 V  
Reverse Transfer Capacitance  
Total Gate Charge  
Q
nC  
ns  
V
G(TOT)  
Threshold Gate Charge  
Gate−to−Source Charge  
Gate−to−Drain Charge  
Q
G(TH)  
V
GS  
= 4.5 V, V = 10 V;  
DS  
I
D
= 200 mA  
Q
GS  
GD  
Q
SWITCHING CHARACTERISTICS, V = V (Note 6)  
GS  
Turn−On Delay Time  
Rise Time  
t
12.2  
9.0  
d(ON)  
t
r
V
I
= 10 V, V = 25 V,  
DD  
GS  
= 500 mA, R = 25 W  
Turn−Off Delay Time  
Fall Time  
t
55.8  
29  
D
G
d(OFF)  
t
f
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS  
Forward Diode Voltage  
V
T = 25°C  
J
0.8  
0.7  
1.2  
SD  
V
= 0 V,  
GS  
= 200 mA  
I
T = 85°C  
J
S
5. Pulse Test: pulse width ≤ 300 ms, duty cycle ≤ 2%  
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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