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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.55 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.38 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.32 A | 最大漏源导通电阻： | 1.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.42 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N7002K-T1-GE3 | VISHAY | N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| 2N7002KT1H | ONSEMI | 320mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, |
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| 2N7002KT3G | ONSEMI | Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, Nâ |
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| 2N7002KTB | PANJIT | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
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| 2N7002KTB_14 | PANJIT | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
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| 2N7002KTB6 | PANJIT | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected |
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