2N7002KT1G

更新时间： 2024-02-22 08:56:59

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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5页	102K
描述
Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23

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2N7002KT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.38 A
最大漏极电流 (ID)：	0.32 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.42 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N7002KT1G 数据手册

2N7002K

TYPICAL CHARACTERISTICS

1.6

1.2

0.8

1.2

5.0 V

4.5 V

= 10 V

9.0 V

4.0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

0.8

3.5 V

T = 25°C

3.0 V

2.5 V

0.4

T = 125°C

T = −55°C

, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

, GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 1. On−Region Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

= 4.5 V

= 10 V

T = 125°C

T = 85°C

T = 25°C

T = −55°C

0.4

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I , DRAIN CURRENT (A)

Figure 3. On−Resistance vs. Drain Current and

Figure 4. On−Resistance vs. Drain Current and

Temperature

2.4

2.0

1.6

1.2

2.2

1.8

1.4

= 0.2 A

= 500 mA

= 4.5 V

= 10 V

= 200 mA

1.0

0.6

0.8

0.4

−50 −25

100

125 150

, GATE−TO−SOURCE VOLTAGE (V)

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

Figure 5. On−Resistance vs. Gate−to−Source

Figure 6. On−Resistance Variation with

Voltage

Temperature

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