2N6849

更新时间： 2024-02-22 10:12:10

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	96K
描述
P-CHANNEL MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N6849 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	针数：	18
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	6.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N15
元件数量：	1	端子数量：	15
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500/564F	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N6849 数据手册

TECHNICAL DATA SHEET

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803

Website: http: //www.microsemi.com

P-CHANNEL MOSFET

Qualified per MIL-PRF-19500/564

DEVICES

LEVELS

JAN

2N6849

JANTX

JANTXV

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= +25°C unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Drain – Source Voltage

Symbol

V_DS

Value

-100

Unit

Vdc

Gate – Source Voltage

V_GS

± 20

Continuous Drain Current

I_D1

I_D2

-6.5

Adc

T_C= +25°C

Continuous Drain Current

-4.1

T_C= +100°C

Max. Power Dissipation

P_tl

25 ⁽¹⁾

0.3 ⁽²⁾

Drain to Source On State Resistance

Operating & Storage Temperature

R_ds(on)

T_op, T_stg

-55 to +150

°C

TO-205AF

(formerly TO-39)

Note: (1) Derated Linearly by 0.2 W/°C for T_C> +25°C

(2) V_GS= -10Vdc, I_D= -4.1A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= +25°C, unless otherwise noted)

Parameters / Test Conditions

Symbol

Min.

Max.

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

V_(BR)DSS

-100

Vdc

V_GS= 0V, I_D= -1mAdc

Gate-Source Voltage (Threshold)

V_DS≥ V_GS, I_D= -0.25mA

V_DS≥ V_GS, I_D= -0.25mA, T_j= +125°C

V_GS(th)1

V_GS(th)2

V_GS(th)3

-2.0

-1.0

-5.0

-4.0

Vdc

V_DS≥ V_GS, I_D= -0.25mA, T_j= -55°C

Gate Current

_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_GS= ±20V, V_DS= 0V, T_j= +125°C

I_GSS1

I_GSS2

±100

±200

nAdc

Drain Current

V_GS= 0V, V_DS= -80V

I_DSS1

I_DSS2

-25

-0.25

µAdc

mAdc

V_GS= 0V, V_DS= -80V, T_j= +125°C

Static Drain-Source On-State Resistance

V_GS= -10V, I_D= -4.1A pulsed

r_DS(on)1

r_DS(on)2

0.3

0.32

_GS= -10V, I_D= -6.5A pulsed

T_j= -125°C

_GS= -10V, I_D= -4.1A pulsed

r_DS(on)3

0.54

-4.3

Diode Forward Voltage

_GS= 0V, I_D= -6.5A pulsed

V_SD

Vdc

T4-LDS-0009 Rev. 1 (072018)

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与2N6849相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N6849_09	MICROSEMI	获取价格	P-CHANNEL MOSFET
2N6849E	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849EA	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849EB	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849EBPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849EC	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849ED	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849EPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
2N6849HP	SEME-LAB	获取价格	P-CHANNEL POWER MOSFET
2N6849PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与2N6849相关文章

共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
2024-06-26

11
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
2024-06-26

4
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
2024-06-26

4
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
2024-06-26

6

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6849

2N6849 技术参数

2N6849 数据手册

与2N6849相关器件

与2N6849相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2N6849

2N6849 技术参数

2N6849 数据手册

与2N6849相关器件

与2N6849相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？