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2N6849E

更新时间: 2023-01-03 03:13:27
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF,

2N6849E 数据手册

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