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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.16 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5877 | MICROSEMI |
类似代替  |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, METAL |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N6649E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N6649LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N665 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
|
| 2N6650 | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(10A,100W) |
|
| 2N6650 | CENTRAL |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS TO-3 CASE |
|
| 2N6650 | NJSEMI |
获取价格 |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| 2N6650 | MICROSEMI |
获取价格 |
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| 2N6650E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
|
| 2N6650LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2N6650PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, |
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