2N6649

更新时间： 2024-02-12 02:27:25

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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描述
PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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2N6649 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.78	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N6649 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 527

Devices

Qualified Level

JANTX

JANTXV

2N6648

2N6649

2N6650

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6648 2N6649 2N6650 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

-40

-60

-80

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

-40

-60

-80

-5.0

-0.25

-10

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-3* (TO-204AA)

Thermal Resistance Junction-to-Case

1.76

qJC

1) Derate linearly 33.3 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 567 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

-40

-60

-80

2N6648

2N6649

2N6650

V_(BR)

CEO

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-40

-60

-80

I_C= 200 mAdc, R_BB= 100 W

2N6648

2N6649

2N6650

V_(BR)

CER

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= -40 Vdc

V_CB= -60 Vdc

-1.0

2N6648

2N6649

2N6650

I_CBO

mAdc

V_CB= -80 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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